Numărul de produs al producătorului:
NTMFD4C20NT1G
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NTMFD4C20NT1G-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/13.7A 8DFN
Descriere detaliată:
Mosfet Array 30V 9.1A, 13.7A 1.09W, 1.15W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Inventar:
3 Piese Noi Originale În Stoc
12841274
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
vsiT
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NTMFD4C20NT1G Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Cut Tape (CT)
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9.1A, 13.7A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
9.3nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
970pF @ 15V
Putere - Max
1.09W, 1.15W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Pachet dispozitiv furnizor
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Numărul de bază al produsului
NTMFD4
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
NTMFD4C20NT1GOSDKR
ONSONSNTMFD4C20NT1G
NTMFD4C20NT1G-DG
NTMFD4C20NT1GOSCT
NTMFD4C20NT1GOSTR
2156-NTMFD4C20NT1G-OS
Pachet standard
1,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NTJD4105CT2
MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
NVMFD5875NLWFT1G
MOSFET 2N-CH 60V 7A 8DFN
NTZD3156CT1G
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
