NTMFS5830NLT1G

Numărul de produs al producătorului:

NTMFS5830NLT1G

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

NTMFS5830NLT1G-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 40V 28A/172A 5DFN

Descriere detaliată:

N-Channel 40 V 28A (Ta), 172A (Tc) 3.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Inventar:

RFQ Online

12856458

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

NTMFS5830NLT1G Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

onsemi

Ambalare

-

Serie

-

Starea produsului

Obsolete

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

40 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

28A (Ta), 172A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

2.3mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

113 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

5880 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

3.2W (Ta), 125W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Pachet / Carcasă

8-PowerTDFN, 5 Leads

Numărul de bază al produsului

NTMFS5

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

NTMFS5830NLT1G-DG

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

1,500

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

renesas-electronics-america

RJK6026DPE-00#J3

MOSFET N-CH 600V 5A 4LDPAK

onsemi

NTHL065N65S3F

MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3

onsemi

NVTFS004N04CTAG

MOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN

onsemi

NTD5803NT4G

MOSFET N-CH 40V 76A DPAK