Numărul de produs al producătorului:
QS8M13TCR
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
QS8M13TCR-DG
Descriere:
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8
Descriere detaliată:
Mosfet Array 30V 6A, 5A 1.5W Surface Mount TSMT8
Inventar:
13526183
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
QS8M13TCR Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
N and P-Channel
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6A, 5A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
28mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
5.5nC @ 5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
390pF @ 10V
Putere - Max
1.5W
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SMD, Flat Lead
Pachet dispozitiv furnizor
TSMT8
Numărul de bază al produsului
QS8M13
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
QS8M13TCRDKR
QS8M13TCRCT
QS8M13TCRTR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
ECH8661-TL-H
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
3000
DiGi NUMĂR DE PARTE
ECH8661-TL-H-DG
PREȚ UNIC
0.35
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SP8K3FU6TB
MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP
QH8MA2TCR
MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
QH8JA1TCR
MOSFET 2P-CH 20V 5A TSMT8