Numărul de produs al producătorului:
R6018JNJGTL
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
R6018JNJGTL-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 18A LPTS
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 220W (Tc) Surface Mount LPTS
Inventar:
626 Piese Noi Originale În Stoc
13525908
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
egWR
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
R6018JNJGTL Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
286mOhm @ 9A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
7V @ 4.2mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 15 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
220W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
LPTS
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
R6018
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
R6018JNJGTLCT
R6018JNJGTLTR
R6018JNJGTLDKR
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
R6020KNJTL
MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
QS5U13TR
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
RDD020N50TL
MOSFET N-CH 500V 2A CPT3
