Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Moldova
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Moldova
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
R6020ENZC8
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
R6020ENZC8-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF
Inventar:
RFQ Online
13524249
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
C
2
f
V
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
R6020ENZC8 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
196mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1400 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
120W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-3PF
Pachet / Carcasă
TO-3P-3 Full Pack
Informații suplimentare
Pachet standard
360
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXFH42N60P3
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFH42N60P3-DG
PREȚ UNIC
4.39
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXFK36N60P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFK36N60P-DG
PREȚ UNIC
8.34
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
R6020ENZC17
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
300
DiGi NUMĂR DE PARTE
R6020ENZC17-DG
PREȚ UNIC
2.69
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXFH36N60P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFH36N60P-DG
PREȚ UNIC
6.71
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXFR36N60P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFR36N60P-DG
PREȚ UNIC
8.45
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RQ3C150BCTB
MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT
RS1L120GNTB
MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP
RZY200P01TL
MOSFET P-CH 12V 20A TCPT3
RSD080N06TL
MOSFET N-CH 60V 8A CPT3