Numărul de produs al producătorului:
R6511ENJTL
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
R6511ENJTL-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 124W (Tc) Surface Mount LPTS
Inventar:
90 Piese Noi Originale În Stoc
12851279
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
3InD
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
R6511ENJTL Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 320µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
670 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
124W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
LPTS
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
R6511
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
846-R6511ENJTLTR
846-R6511ENJTLDKR
846-R6511ENJTLCT
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IAUS300N08S5N012ATMA1
MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8
FDS6675BZ
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
FDD16AN08A0
MOSFET N-CH 75V 9A/50A DPAK
