Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Moldova
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Moldova
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
RSD221N06TL
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
RSD221N06TL-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 22A CPT3
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 22A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) Surface Mount CPT3
Inventar:
RFQ Online
13524436
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
3
p
m
G
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RSD221N06TL Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
850mW (Ta), 20W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
CPT3
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
RSD221
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
RSD221N06
Informații suplimentare
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STD30NF06LT4
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
2998
DiGi NUMĂR DE PARTE
STD30NF06LT4-DG
PREȚ UNIC
0.57
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IPD25N06S4L30ATMA2
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
16688
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPD25N06S4L30ATMA2-DG
PREȚ UNIC
0.36
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IRLR3105TRPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
19895
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRLR3105TRPBF-DG
PREȚ UNIC
0.45
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
SQD23N06-31L_GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
3469
DiGi NUMĂR DE PARTE
SQD23N06-31L_GE3-DG
PREȚ UNIC
0.63
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
RD3P200SNTL1
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
5845
DiGi NUMĂR DE PARTE
RD3P200SNTL1-DG
PREȚ UNIC
0.84
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
R6076ENZ1C9
MOSFET N-CH 600V 76A TO247
QS5U12TR
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
RF4E110GNTR
MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
RD3L140SPTL1
MOSFET P-CH 60V 14A TO252