Numărul de produs al producătorului:
STD18N60M6
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STD18N60M6-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 13A DPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventar:
1649 Piese Noi Originale În Stoc
12879008
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
lxiF
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STD18N60M6 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
MDmesh™ M6
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.75V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
16.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
650 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
110W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252 (DPAK)
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
STD18
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
STD18N60M6-DG
497-STD18N60M6DKR
497-STD18N60M6CT
497-STD18N60M6TR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
R6014YND3TL1
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
2476
DiGi NUMĂR DE PARTE
R6014YND3TL1-DG
PREȚ UNIC
1.21
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STF15N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
STP12NK80Z
MOSFET N-CH 800V 10.5A TO220AB
STFI40N60M2
MOSFET N-CH 600V 34A I2PAKFP
