Numărul de produs al producătorului:
STFI11N65M2
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STFI11N65M2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 7A I2PAKFP
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-281 (I2PAKFP)
Inventar:
12880358
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STFI11N65M2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
-
Serie
MDmesh™ II Plus
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
670mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
12.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
410 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
25W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-281 (I2PAKFP)
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Numărul de bază al produsului
STFI11N
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
497-15038-5
-497-15038-5
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STF11N65M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
27
DiGi NUMĂR DE PARTE
STF11N65M2-DG
PREȚ UNIC
0.71
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STB18NM60N
MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
STW3N150
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247-3
STP8NM60D
MOSFET N-CH 600V 8A TO220AB
