STI28N60M2
Numărul de produs al producătorului:

STI28N60M2

Product Overview

Producător:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Cod de parte:

STI28N60M2-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 600V 22A I2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Inventar:

6000 Piese Noi Originale În Stoc
12880048
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
n56f
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

STI28N60M2 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tube
Serie
MDmesh™ M2
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1440 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
170W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-262 (I2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
STI28

Fișa de date și documente

Fișe tehnice
STx28N60M2 Datasheet Spice Model Tutorial for Power MOSFETS

Informații suplimentare

Alte nume
497-17621
2266-STI28N60M2
Pachet standard
30

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
stmicroelectronics

STF18NM80

MOSFET N-CH 800V 17A TO220FP

stmicroelectronics

STP130NH02L

MOSFET N-CH 24V 90A TO220

stmicroelectronics

STF7N95K3

MOSFET N-CH 950V 7.2A TO220FP

stmicroelectronics

STW42N60M2-EP

MOSFET N-CH 600V 34A TO247