Numărul de produs al producătorului:
STI35N65M5
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STI35N65M5-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 27A I2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 27A (Tc) 160W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventar:
12876186
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
5U6h
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STI35N65M5 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
-
Serie
MDmesh™ V
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
27A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
98mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
83 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3750 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
160W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
I2PAK
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
STI35N
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
497-11332-5
-497-11332-5
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STP34N65M5
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
241
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP34N65M5-DG
PREȚ UNIC
2.82
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STB40NF10T4
MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK
STW9N150
MOSFET N-CH 1500V 8A TO247-3
STF6N90K5
MOSFET N-CH 900V 6A TO220FP
