Numărul de produs al producătorului:
STI4N62K3
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STI4N62K3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 620V 3.8A I2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 620 V 3.8A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventar:
12875262
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
BLgE
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STI4N62K3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tube
Serie
SuperMESH3™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
620 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3.8A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
550 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
70W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
I2PAK
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
STI4N62
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
497-12262
-497-12262
Pachet standard
2,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STP5NK50Z
MOSFET N-CH 500V 4.4A TO220AB
STB24N60M6
MOSFET N-CH 600V D2PAK
BUK9608-55A,118
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
