Numărul de produs al producătorului:
STP21N65M5
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STP21N65M5-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 17A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
2997 Piese Noi Originale În Stoc
12871423
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
4r7T
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STP21N65M5 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tube
Serie
MDmesh™ V
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1950 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
125W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
STP21
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
497-10077-5
497-STP21N65M5
497-10077-5-DG
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STD95N2LH5
MOSFET N-CH 25V 80A DPAK
STP90N6F6
MOSFET N-CH 60V 84A TO220
STP18N60DM2
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
