Numărul de produs al producătorului:
STP35N60M2-EP
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STP35N60M2-EP-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V TO220
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 26A (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
12880091
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
LIqX
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STP35N60M2-EP Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
MDmesh™ M2-EP
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (Max)
±25V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
-
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
STP35
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STB75NH02LT4
MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK
STP200NF04L
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
STFI6N62K3
MOSFET N CH 620V 5.5A I2PAKFP
