Numărul de produs al producătorului:
STP80NF12
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STP80NF12-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 120V 80A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 120 V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
987 Piese Noi Originale În Stoc
12874920
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
gzNH
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STP80NF12 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tube
Serie
STripFET™ II
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
120 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
189 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4300 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
STP80
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
497-6743-5
STP80NF12-DG
1026-STP80NF12
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STD11N50M2
MOSFET N-CH 500V 8A DPAK
STL11N65M2
MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X5 H
STU10N60M2
MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK
