Numărul de produs al producătorului:

TSM4NB65CI

Product Overview

Producător:

Taiwan Semiconductor Corporation

DiGi Electronics Cod de parte:

TSM4NB65CI-DG

Descriere:

650V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER

Descriere detaliată:

N-Channel 650 V 4A (Tc) 25W (Tc) Through Hole ITO-220

Inventar:

RFQ Online

12998652

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

TSM4NB65CI Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Taiwan Semiconductor

Ambalare

Tube

Serie

-

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

650 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

4A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

3.37Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

13.46 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

549 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

25W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

ITO-220

Pachet / Carcasă

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Numărul de bază al produsului

TSM4

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

1801-TSM4NB65CI

Pachet standard

4,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

good-ark-semiconductor

SSF2429

MOSFET, P-CH, SINGLE, -5A, -20V,

TSM3443CX6

-20V, -4.7A, SINGLE P-CHANNEL PO

TSM085P03CV

-30, -64, SINGLE P-CHANNEL

TSM60NB380CF

600V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWE