Numărul de produs al producătorului:
2SK2916(F)
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
2SK2916(F)-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 500V 14A TO3PIS
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 14A (Ta) 80W (Tc) Through Hole TO-3P(N)IS
Inventar:
12889998
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
2SK2916(F) Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
14A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2600 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
80W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-3P(N)IS
Pachet / Carcasă
TO-3P-3, SC-65-3
Numărul de bază al produsului
2SK2916
Informații suplimentare
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXTQ16N50P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
13
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTQ16N50P-DG
PREȚ UNIC
2.38
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SSM6J502NU,LF
MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB
2SK3388(TE24L,Q)
MOSFET N-CH 250V 20A 4TFP
2SK3403(Q)
MOSFET N-CH 450V 13A TO220FL
