Numărul de produs al producătorului:
RN1706JE(TE85L,F)
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
RN1706JE(TE85L,F)-DG
Descriere:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ESV
Inventar:
12891281
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RN1706JE(TE85L,F) Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Arhive de Tranzistori Bipolari, Pre-Biasate
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Curent - Colector (Ic) (Max)
100mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50V
Rezistor - Bază (R1)
4.7kOhms
Rezistor - Baza emițătorului (R2)
47kOhms
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
100nA (ICBO)
Frecvență - Tranziție
250MHz
Putere - Max
100mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SOT-553
Pachet dispozitiv furnizor
ESV
Numărul de bază al produsului
RN1706
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
RN1706JE(TE85LF)DKR
RN1706JE(TE85LF)CT
RN1706JE(TE85LF)TR
Pachet standard
4,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RN1601(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
RN2909,LF(CT
PNPX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH
RN1610(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
