Numărul de produs al producătorului:
RN1965FE(TE85L,F)
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
RN1965FE(TE85L,F)-DG
Descriere:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventar:
20 Piese Noi Originale În Stoc
12889749
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RN1965FE(TE85L,F) Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Arhive de Tranzistori Bipolari, Pre-Biasate
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Cut Tape (CT)
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip tranzistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Curent - Colector (Ic) (Max)
100mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50V
Rezistor - Bază (R1)
2.2kOhms
Rezistor - Baza emițătorului (R2)
47kOhms
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
100nA (ICBO)
Frecvență - Tranziție
250MHz
Putere - Max
100mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SOT-563, SOT-666
Pachet dispozitiv furnizor
ES6
Numărul de bază al produsului
RN1965
Informații suplimentare
Alte nume
RN1965FE(TE85LF)CT
RN1965FETE85LF
RN1965FE(TE85LF)TR
RN1965FE(TE85LF)DKR
Pachet standard
4,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
PEMH10,115
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
7750
DiGi NUMĂR DE PARTE
PEMH10,115-DG
PREȚ UNIC
0.07
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RN4901FE,LF(CT
PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER
RN1510(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
RN1968(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
