Numărul de produs al producătorului:
RN1966FE(TE85L,F)
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
RN1966FE(TE85L,F)-DG
Descriere:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventar:
4000 Piese Noi Originale În Stoc
12890239
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RN1966FE(TE85L,F) Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Arhive de Tranzistori Bipolari, Pre-Biasate
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip tranzistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Curent - Colector (Ic) (Max)
100mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50V
Rezistor - Bază (R1)
4.7kOhms
Rezistor - Baza emițătorului (R2)
47kOhms
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
100nA (ICBO)
Frecvență - Tranziție
250MHz
Putere - Max
100mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SOT-563, SOT-666
Pachet dispozitiv furnizor
ES6
Numărul de bază al produsului
RN1966
Informații suplimentare
Alte nume
RN1966FE(TE85LF)DKR
RN1966FETE85LF
RN1966FE(TE85LF)TR
RN1966FE(TE85LF)CT
Pachet standard
4,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
RN1106MFV,L3F
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
53233
DiGi NUMĂR DE PARTE
RN1106MFV,L3F-DG
PREȚ UNIC
0.01
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RN1705,LF
NPNX2 BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER47KO
RN4606(TE85L,F)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
DCX123JU-7-F
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
