RN2603(TE85L,F)
Numărul de produs al producătorului:

RN2603(TE85L,F)

Product Overview

Producător:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Cod de parte:

RN2603(TE85L,F)-DG

Descriere:

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6

Inventar:

6000 Piese Noi Originale În Stoc
12891597
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

RN2603(TE85L,F) Specificații tehnice

Categorie
Bipolar (BJT), Arhive de Tranzistori Bipolari, Pre-Biasate
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Curent - Colector (Ic) (Max)
100mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50V
Rezistor - Bază (R1)
22kOhms
Rezistor - Baza emițătorului (R2)
22kOhms
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
100nA (ICBO)
Frecvență - Tranziție
200MHz
Putere - Max
300mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SC-74, SOT-457
Pachet dispozitiv furnizor
SM6
Numărul de bază al produsului
RN2603

Informații suplimentare

Alte nume
RN2603(TE85LF)TR
RN2603(TE85LF)DKR
RN2603(TE85LF)CT
Pachet standard
3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
toshiba-semiconductor-and-storage

RN2901FE(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1961FE(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1704JE(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV

diodes

DCX124EU-7

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363