Numărul de produs al producătorului:
TK25N60X,S1F
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TK25N60X,S1F-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 25A (Ta) 180W (Tc) Through Hole TO-247
Inventar:
12889157
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TK25N60X,S1F Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tube
Serie
DTMOSIV-H
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
25A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1.2mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2400 pF @ 300 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
180W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
TK25N60
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TK25N60XS1F
TK25N60X,S1F(S
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPW65R125C7XKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
80
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPW65R125C7XKSA1-DG
PREȚ UNIC
2.31
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXFH34N65X2
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
89
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFH34N65X2-DG
PREȚ UNIC
4.08
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
2SJ668(TE16L1,NQ)
MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD
2SK3309(Q)
MOSFET N-CH 450V 10A TO220FL
TK17A80W,S4X
MOSFET N-CH 800V 17A TO220SIS