Numărul de produs al producătorului:
TK31N60X,S1F
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TK31N60X,S1F-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 30.8A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-247
Inventar:
20 Piese Noi Originale În Stoc
12890388
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TK31N60X,S1F Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tube
Serie
DTMOSIV-H
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
30.8A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
88mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1.5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3000 pF @ 300 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
230W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
TK31N60
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TK31N60XS1F
TK31N60X,S1F(S
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXFX64N60P3
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
1060
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFX64N60P3-DG
PREȚ UNIC
8.28
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
FCH070N60E
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
473
DiGi NUMĂR DE PARTE
FCH070N60E-DG
PREȚ UNIC
5.38
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
2SK2962,T6F(J
MOSFET N-CH TO92MOD
TK31V60W5,LVQ
MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
TPH8R903NL,LQ
MOSFET N CH 30V 20A 8SOP
