Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Moldova
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Moldova
Comutare:
Engleză
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
TK4A60DB(STA4,Q,M)
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TK4A60DB(STA4,Q,M)-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 3.7A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventar:
RFQ Online
12889194
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TK4A60DB(STA4,Q,M) Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
-
Serie
π-MOSVII
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3.7A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.4V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
540 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
35W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220SIS
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
TK4A60
Informații suplimentare
Alte nume
TK4A60DB(STA4QM)
TK4A60DBSTA4QM
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STF4LN80K5
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
1998
DiGi NUMĂR DE PARTE
STF4LN80K5-DG
PREȚ UNIC
0.61
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STF3N62K3
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
1978
DiGi NUMĂR DE PARTE
STF3N62K3-DG
PREȚ UNIC
0.35
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
TK1K9A60F,S4X
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK1K9A60F,S4X-DG
PREȚ UNIC
0.31
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IRFIBC30GPBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
1568
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFIBC30GPBF-DG
PREȚ UNIC
1.22
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
AOTF4N60L
PRODUCĂTOR
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
1966
DiGi NUMĂR DE PARTE
AOTF4N60L-DG
PREȚ UNIC
0.33
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TK4P50D(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
TK20A60W,S5VX
MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
SSM3K56ACT,L3F
MOSFET N-CH 20V 1.4A CST3
SSM6J505NU,LF
MOSFET P-CH 12V 12A 6UDFNB