Numărul de produs al producătorului:
TK62N60W,S1VF
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TK62N60W,S1VF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 61.8A (Ta) 400W (Tc) Through Hole TO-247
Inventar:
12890640
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
IFAW
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TK62N60W,S1VF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tube
Serie
DTMOSIV
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
61.8A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 30.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 3.1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6500 pF @ 300 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
400W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
TK62N60
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TK62N60W,S1VF(S
TK62N60WS1VF
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
APT77N60BC6
PRODUCĂTOR
Microchip Technology
CANTITATE DISPONIBILĂ
3
DiGi NUMĂR DE PARTE
APT77N60BC6-DG
PREȚ UNIC
10.10
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXKH70N60C5
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
301
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXKH70N60C5-DG
PREȚ UNIC
14.49
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TPCA8064-H,LQ(CM
MOSFET N-CH 30V 20A 8SOP
TK9J90E,S1E
MOSFET N-CH 900V 9A TO3P
TK9A65W,S5X
MOSFET N-CH 650V 9.3A TO220SIS
