Numărul de produs al producătorului:
TK8A45D(STA4,Q,M)
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TK8A45D(STA4,Q,M)-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 450V 8A TO220SIS
Descriere detaliată:
N-Channel 450 V 8A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventar:
12889491
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
Dgt9
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TK8A45D(STA4,Q,M) Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tube
Serie
π-MOSVII
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
450 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.4V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
700 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
35W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220SIS
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
TK8A45
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TK8A45DSTA4QM
TK8A45D(STA4QM)
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFI840GLCPBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
113
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFI840GLCPBF-DG
PREȚ UNIC
1.25
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SSM3K301T(TE85L,F)
MOSFET N-CH 20V 3.5A TSM
TK72E08N1,S1X
MOSFET N-CH 80V 72A TO220
TK33S10N1Z,LQ
MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
