Numărul de produs al producătorului:
TPC8A05-H(TE12L,QM
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TPC8A05-H(TE12L,QM-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Inventar:
12891212
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
FRMe
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TPC8A05-H(TE12L,QM Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
-
Serie
U-MOSV-H
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
13.3mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1700 pF @ 10 V
Caracteristică FET
Schottky Diode (Body)
Disiparea puterii (max)
1W (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOP (5.5x6.0)
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Numărul de bază al produsului
TPC8A05
Informații suplimentare
Alte nume
TPC8A05-H(TE12LQM
TPC8A05HTE12LQM
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SI2304BDS-T1-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
65573
DiGi NUMĂR DE PARTE
SI2304BDS-T1-GE3-DG
PREȚ UNIC
0.09
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
DMN3016LSS-13
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
14193
DiGi NUMĂR DE PARTE
DMN3016LSS-13-DG
PREȚ UNIC
0.14
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TPC8048-H(TE12L,Q)
MOSFET N-CH 60V 16A 8SOP
2SK2967(F)
MOSFET N-CH 250V 30A TO3P
TK160F10N1L,LQ
MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
