Numărul de produs al producătorului:
TPH5900CNH,L1Q
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TPH5900CNH,L1Q-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP
Descriere detaliată:
N-Channel 150 V 9A (Ta) 1.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Inventar:
14354 Piese Noi Originale În Stoc
12891302
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
42Ei
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TPH5900CNH,L1Q Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVIII-H
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
150 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
59mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 200µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
600 pF @ 75 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.6W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOP Advance (5x5)
Pachet / Carcasă
8-PowerVDFN
Numărul de bază al produsului
TPH5900
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TPH5900CNHL1QTR
TPH5900CNH,L1Q(M
TPH5900CNHL1QCT
TPH5900CNHL1QDKR
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TK39N60W,S1VF
MOSFET N CH 600V 38.8A TO247
2SK2962,T6WNLF(M
MOSFET N-CH TO92MOD
TPC8111(TE12L,Q,M)
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP
