Numărul de produs al producătorului:
IRFR9120PBF
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
IRFR9120PBF-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
Descriere detaliată:
P-Channel 100 V 5.6A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventar:
3925 Piese Noi Originale În Stoc
12915423
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRFR9120PBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
5.6A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
390 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.5W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DPAK
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IRFR9120
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
75
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI4448DY-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 50A 8SO
SI7852ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
IRFS11N50APBF
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK