Numărul de produs al producătorului:
SI4166DY-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI4166DY-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 30.5A 8SO
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 30.5A (Tc) 3W (Ta), 6.5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
5435 Piese Noi Originale În Stoc
12918157
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI4166DY-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
30.5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.9mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2730 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3W (Ta), 6.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numărul de bază al produsului
SI4166
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SI4166DYT1GE3
SI4166DY-T1-GE3DKR
SI4166DY-T1-GE3CT
SI4166DY-T1-GE3TR
SI4166DY-T1-GE3-DG
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI6443DQ-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 7.3A 8TSSOP
SIR836DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8
SUD17N25-165-E3
MOSFET N-CH 250V 17A TO252
