Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Moldova
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Moldova
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
SI4880DY-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI4880DY-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 13A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
RFQ Online
12912533
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI4880DY-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
13A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±25V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numărul de bază al produsului
SI4880
Informații suplimentare
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SI4174DY-T1-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
16514
DiGi NUMĂR DE PARTE
SI4174DY-T1-GE3-DG
PREȚ UNIC
0.27
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IRF7809AVTRPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
1
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF7809AVTRPBF-DG
PREȚ UNIC
1.10
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
AO4476A
PRODUCĂTOR
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
109358
DiGi NUMĂR DE PARTE
AO4476A-DG
PREȚ UNIC
0.20
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IRF7821TRPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
16602
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF7821TRPBF-DG
PREȚ UNIC
0.37
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IRF7413ZTRPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
2211
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF7413ZTRPBF-DG
PREȚ UNIC
0.28
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFR320TR
MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
IXTQ220N075T
MOSFET N-CH 75V 220A TO3P
SI2324DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT23-3
IRFI734GPBF
MOSFET N-CH 450V 3.4A TO220-3