Numărul de produs al producătorului:
SI5418DU-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI5418DU-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFET™ Single
Inventar:
1882 Piese Noi Originale În Stoc
12954366
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI5418DU-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
14.5mOhm @ 7.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1350 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.1W (Ta), 31W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® ChipFET™ Single
Pachet / Carcasă
PowerPAK® ChipFET™ Single
Numărul de bază al produsului
SI5418
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SI5418DU-T1-GE3CT
SI5418DU-T1-GE3TR
SI5418DUT1GE3
SI5418DU-T1-GE3DKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SD214DE TO-72 4L
HIGH SPEED N-CHANNEL LATERAL DMO
SIDR104ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
JAN2N6768
MOSFET N-CH 400V 14A TO204AE
