Numărul de produs al producătorului:
SIHP6N80E-BE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHP6N80E-BE3-DG
Descriere:
N-CHANNEL 800V
Descriere detaliată:
N-Channel 800 V 5.4A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
500 Piese Noi Originale În Stoc
12977798
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHP6N80E-BE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
E
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
5.4A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
940mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
827 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
78W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
742-SIHP6N80E-BE3
742-SIHP6N80E-BE3CTINACTIVE
742-SIHP6N80E-BE3DKRINACTIVE
742-SIHP6N80E-BE3TR
742-SIHP6N80E-BE3TR-DG
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SQJ457EP-T1_BE3
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ170ELP-T1_GE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ415EP-T1_BE3
P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
