Numărul de produs al producătorului:
SIS780DN-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIS780DN-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 18A PPAK1212-8
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 18A (Tc) 27.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventar:
1 Piese Noi Originale În Stoc
12787447
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIS780DN-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
13.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
24.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
722 pF @ 15 V
Caracteristică FET
Schottky Diode (Body)
Disiparea puterii (max)
27.7W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® 1212-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® 1212-8
Numărul de bază al produsului
SIS780
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SIS780DN-T1-GE3-DG
SIS780DN-T1-GE3CT
SIS780DN-T1-GE3DKR
SIS780DN-T1-GE3TR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
RQ1E070RPTR
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
7064
DiGi NUMĂR DE PARTE
RQ1E070RPTR-DG
PREȚ UNIC
0.41
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
RQ3E120BNTB
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
2880
DiGi NUMĂR DE PARTE
RQ3E120BNTB-DG
PREȚ UNIC
0.16
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
RQ3E100ATTB
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
8342
DiGi NUMĂR DE PARTE
RQ3E100ATTB-DG
PREȚ UNIC
0.29
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
RQ1E075XNTCR
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
26907
DiGi NUMĂR DE PARTE
RQ1E075XNTCR-DG
PREȚ UNIC
0.25
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
RQ3E100BNTB
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
95904
DiGi NUMĂR DE PARTE
RQ3E100BNTB-DG
PREȚ UNIC
0.11
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI7386DP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
SUP60N10-16L-E3
MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
SUP60020E-GE3
MOSFET N-CH 80V 150A TO220AB