Numărul de produs al producătorului:
SUG80050E-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SUG80050E-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 150V 100A TO247AC
Descriere detaliată:
N-Channel 150 V 100A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventar:
2287 Piese Noi Originale În Stoc
12965934
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SUG80050E-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
ThunderFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
150 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
165 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6250 pF @ 75 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
500W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247AC
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
SUG80050
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SUG80050E-GE3TR-DG
SUG80050E-GE3DKRINACTIVE
SUG80050E-GE3TRINACTIVE
SUG80050E-GE3DKR-DG
SUG80050E-GE3CT
SUG80050E-GE3TR
SUG80050E-GE3CT-DG
SUG80050E-GE3DKR
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
ISZ0602NLSATMA1
MOSFET N-CH 80V 12A/64A TSDSON
ISC0803NLSATMA1
MOSFET N-CH 100V 8.8A/37A 8TDSON
ISZ0804NLSATMA1
MOSFET N-CH 100V 11A/58A TSDSON