SIRA16DP-T1-GE3
Numărul de produs al producătorului:

SIRA16DP-T1-GE3

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

SIRA16DP-T1-GE3-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 16A (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventar:

RFQ Online
13006951
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

SIRA16DP-T1-GE3 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Ambalaj
Tape & Reel (TR)
Starea piesei
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
16A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
6.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+20V, -16V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2060 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
-
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SO-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SO-8
Numărul de bază al produsului
SIRA16

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
SIRA16DP-T1-GE3-DG
Fișe tehnice
SIRA16DP-T1-GE3
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
vishay

SQP60N06-15_GE3

MOSFET N-CH 60V 56A TO220AB

vishay

SIHP8N50D-E3

MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB

vishay

SIHF10N40D-E3

MOSFET N-CH 400V 10A TO220

vishay

SUD50N04-05L-E3

MOSFET N-CH 40V 115A TO252