Numărul de produs al producătorului:
CAS175M12BM3
Product Overview
Producător:
Wolfspeed, Inc.
DiGi Electronics Cod de parte:
CAS175M12BM3-DG
Descriere:
SIC 2N-CH 1200V 228A
Descriere detaliată:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 228A (Tc) Chassis Mount
Inventar:
12987454
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
CAS175M12BM3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Wolfspeed
Ambalare
Box
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
Silicon Carbide (SiC)
Configurație
2 N-Channel (Dual) Common Source
Caracteristică FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1200V (1.2kV)
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
228A (Tc)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
10.4mOhm @ 175A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 43mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
422nC @ 15V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
12900pF @ 800V
Putere - Max
-
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet / Carcasă
Module
Pachet dispozitiv furnizor
-
Numărul de bază al produsului
CAS175
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
-3312-CAS175M12BM3
1697-CAS175M12BM3
Pachet standard
1
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIZF5302DT-T1-RE3
MOSFET 2N-CH 30V 28.1A PWRPAIR
HAT2218R0T-EL-E
MOSFET N-CH
PJL9812_R2_00201
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP
