Numărul de produs al producătorului:
APT30N60KC6
Product Overview
Producător:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Cod de parte:
APT30N60KC6-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 30A TO220
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 219W (Tc) Through Hole TO-220 [K]
Inventar:
13257475
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
U1Oe
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
APT30N60KC6 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Microsemi
Ambalare
-
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 960µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2267 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
219W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220 [K]
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Informații suplimentare
Alte nume
APT30N60KC6-ND
150-APT30N60KC6
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
APTM100UM65SCAVG
MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
APT5510JFLL
MOSFET N-CH 550V 44A ISOTOP
APTM120DA30T1G
MOSFET N-CH 1200V 31A SP1