Numărul de produs al producătorului:
RN2906FE(TE85L,F)
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
RN2906FE(TE85L,F)-DG
Descriere:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventar:
4000 Piese Noi Originale În Stoc
12889734
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RN2906FE(TE85L,F) Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Arhive de Tranzistori Bipolari, Pre-Biasate
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Cut Tape (CT)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Curent - Colector (Ic) (Max)
100mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50V
Rezistor - Bază (R1)
4.7kOhms
Rezistor - Baza emițătorului (R2)
47kOhms
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
100nA (ICBO)
Frecvență - Tranziție
200MHz
Putere - Max
100mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SOT-563, SOT-666
Pachet dispozitiv furnizor
ES6
Numărul de bază al produsului
RN2906
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
RN2906FE(TE85LF)CT
RN2906FE(TE85LF)DKR
RN2906FE(TE85LF)TR
Pachet standard
4,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RN2901(T5L,F,T)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
RN1965FE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN4901FE,LF(CT
PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER
